離子束刻蝕（Ion Beam Etching, IBE）利用高能離子流（通常是惰性氣體離子，如Ar?）轟擊材料表面，通過動量傳遞將材料原子或分子從表面濺射剝離，從而實現圖案化刻蝕。
離子束刻蝕系統可以進行材料表面處理、形貌修飾、損傷去除，是微納加工必備的加工手段。尤其在金屬刻蝕和光電類材料刻蝕。廣泛應用于副產物非揮發材料，光電材料的打開、材料表面處理和改性等應用?；陔x子束刻蝕原理，通過物理轟擊的方式去除被刻蝕材料，能夠用于刻蝕磁性材料及難揮發的金屬材料如Au,Ag,Pt,Ni等。
主要應用
半導體制造：高精度硅刻蝕、化合物半導體（GaAs、InP）器件加工。
光電子器件：激光光柵、光纖耦合器的微納結構制備。
MEMS/NEMS：微傳感器、微執行器的三維結構成型。
適用于6/8英寸及以下（包含不規則形狀）晶圓和樣品的垂直和傾斜刻蝕。無加工材料限制，可刻蝕硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、金剛石、鈮酸鋰、金屬、金屬氧化物和超導等材料。
產品特點
集成化設計和供應鏈成熟協調，系統運行穩定，成熟度高;
占地面積小，維護方便，可多腔體聯用;
載臺設計有液冷和背He冷卻系統，測溫熱偶實時測量基片溫度變化情況，閉環控制，調整算法融入整體熱模型，改善溫度控制響應速度和控制精度。
可升級為反應離子束刻蝕（RIBE）,耦合物理濺射與化學刻蝕的過程。
關鍵控制參數
離子能量與束流密度：決定物理濺射貢獻，影響刻蝕各向異性；
反應氣體比例：調節化學反應速率；
襯底溫度：控制化學反應平衡（溫度升高通常加速揮發性產物脫附）。
RIBE憑借高精度和材料普適性，廣泛應用于高端半導體、光電子器件和MEMS領域
RIBE主要應用場景：
1.半導體芯片制造
化合物半導體器件：GaN HEMT功率器件的柵極刻蝕、InP光電器件的光波導刻蝕。
2.光電子與光子器件
激光二極管（LD）：量子阱結構刻蝕
光子晶體：亞微米周期結構刻蝕
3.MEMS與微納傳感器
高精度結構加工：如壓力傳感器的SiN薄膜刻蝕
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