主要應(yīng)用

• 半導(dǎo)體制造：高精度硅刻蝕、化合物半導(dǎo)體（GaAs、InP）器件加工。

• 光電子器件：激光光柵、光纖耦合器的微納結(jié)構(gòu)制備。

• MEMS/NEMS：微傳感器、微執(zhí)行器的三維結(jié)構(gòu)成型。

   適用于6/8英寸及以下（包含不規(guī)則形狀）晶圓和樣品的垂直和傾斜刻蝕。無(wú)加工材料限制，可刻蝕硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、金剛石、鈮酸鋰、金屬、金屬氧化物和超導(dǎo)等材料。

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 集成化設(shè)計(jì)和供應(yīng)鏈成熟協(xié)調(diào)，系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定，成熟度高;
  

• 占地面積小，維護(hù)方便，可多腔體聯(lián)用;

• 載臺(tái)設(shè)計(jì)有液冷和背He冷卻系統(tǒng)，測(cè)溫?zé)崤紝?shí)時(shí)測(cè)量基片溫度變化情況，閉環(huán)控制，調(diào)整算法融入整體熱模型，改善溫度控制響應(yīng)速度和控制精度。

• 可升級(jí)為反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）,耦合物理濺射與化學(xué)刻蝕的過(guò)程。

關(guān)鍵控制參數(shù)

• 離子能量與束流密度：決定物理濺射貢獻(xiàn)，影響刻蝕各向異性；

• 反應(yīng)氣體比例：調(diào)節(jié)化學(xué)反應(yīng)速率；

• 襯底溫度：控制化學(xué)反應(yīng)平衡（溫度升高通常加速揮發(fā)性產(chǎn)物脫附）。

RIBE憑借高精度和材料普適性，廣泛應(yīng)用于高端半導(dǎo)體、光電子器件和MEMS領(lǐng)域

RIBE主要應(yīng)用場(chǎng)景：

1.半導(dǎo)體芯片制造

• 化合物半導(dǎo)體器件：GaN HEMT功率器件的柵極刻蝕、InP光電器件的光波導(dǎo)刻蝕。

  
  

2.光電子與光子器件

• 激光二極管（LD）：量子阱結(jié)構(gòu)刻蝕

• 光子晶體：亞微米周期結(jié)構(gòu)刻蝕

3.MEMS與微納傳感器

• 高精度結(jié)構(gòu)加工：如壓力傳感器的SiN薄膜刻蝕

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