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??原子層刻蝕(ALE)是一種基于自限性反應的、以幾個原子層為單位逐步去除材料的高精度加工技術，具有刻蝕損傷低、均勻性高和刻蝕界面平整等優(yōu)勢。
原子層刻蝕(ALE) 是利用鹵化物前體對刻蝕材料先進行修飾改性，再通過離子轟擊去除改性層，整個刻蝕過程不影響未改性區(qū)域，可以實現(xiàn)極低的刻蝕速率，實現(xiàn)高精度的刻蝕工藝。
微蕓科技生產的原子層刻蝕系統(tǒng)是一款針對GaN器件應用的大規(guī)模量產型設備，其卓越性能亦可在各大高校及科研機構展示其科研屬性。
主要應用
適用領域：功率器件(如GaN HEMT)、光電器件(如Micro LED)、MEMS器件??
產品特點
集成化設計和供應鏈成熟協(xié)調，系統(tǒng)運行穩(wěn)定，成熟度高;
將刻蝕過程控制在原子層(約0.7nm)的級別，提供前所未有的刻蝕精度和深度控制能力;
通過使用自限制化學反應，每個刻蝕周期僅去除幾層原子，避免過刻蝕，確保了刻蝕的均勻性和可重復性;
對底層和相鄰材料的損傷較小，有利于保持器件性能和提高良率;
可實現(xiàn)大面積晶圓上的刻蝕深度一致性，典型均勻度可達到±2%以內。
相關產品
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| 400平臺刻蝕系統(tǒng) | 600平臺刻蝕系統(tǒng) | Manual Load系統(tǒng) |
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