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微蕓電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕機是一款針對先進特色工藝節點應用的大規模量產型設備，其卓越性能亦可在各大高校及科研機構展示其科研屬性。
8 英寸晶圓可向下兼容，適用于 Si 和 SiC 的刻蝕需求。設備具備優異刻蝕均勻性和快速刻蝕速率，精準的關鍵尺寸控制能力和良好的側壁形貌控制能力，可確保高效、精確的刻蝕工藝結果。
專業機械設計與優化的操作軟件使該設備操作簡便、安全，且設備運行穩定，重復性和均勻性佳。該系統可以根據客戶要求靈活選擇氣體、射頻、ESC 等各種配置，滿足個性化生產與研究需求。
主要應用
適用領域：集成電路、功率半導體、化合物半導體、光電顯示和通訊以及科研等領域。
適用工藝：SiC、Si、Ploy 等材料的刻蝕工藝。
產品特點
集成化設計和供應鏈成熟協調，系統運行穩定，成熟度高；
獨特腔體設計，6/8寸卡盤快速切換，適合多種規格硅片，快速提高產能；
系統具備優異的刻蝕均勻性和快速刻蝕速率，確保了高效、精確的刻蝕效果；
高選擇比和高各向異性使刻蝕過程更為精準，有效減少損傷。
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