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電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕系統

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微蕓電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕機是一款針對先進特色工藝節點應用的大規模量產型設備，其卓越性能亦可在各大高校及科研機構展示其科研屬性。 8 英寸晶圓可向下兼容，適用于 Si 和 SiC 的刻蝕需求。設備具備優異刻蝕均勻性和快速刻蝕速率，精準的關鍵尺寸控制能力和良好的側壁形貌控制能力，可確保高效、精確的刻蝕工藝結果。專業機械設計與優化的操作軟件使該設備操作簡便、安全，且設備運行穩定，重復性和均勻性佳。該系統可以根據客戶要求靈活選擇氣體、射頻、ESC 等各種配置，滿足個性化生產與研究需求。
電容耦合等離子體（CCP/介質）干法刻蝕系統

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微蕓電容耦合等離子體干法刻蝕機(CCP)是一款針對先進工藝節點應用的大規模量產型設備，其卓越性能亦可在各大高校及科研機構展示其科研屬性。 設備8英寸向下兼容，適用于介質類刻蝕需求，設備具備優異的刻蝕均勻性、高選擇比和高刻蝕速率，精準的關鍵尺寸控制能力和良好的側壁形貌控制能力，可確保高效、精確的刻蝕工藝結果。專業機械設計與優化的操作軟件使該設備操作簡便、安全，且設備運行穩定，重復性和均勻性佳。該系統可以根據客戶要求靈活選擇氣體、射頻、ESC等各種配置，滿足個性化生產與研究需求。
深硅等離子體刻蝕系統

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微蕓深硅等離子體刻蝕機(DSE)是一款針對先進特色工藝節點應用的大規模量產型設備，其卓越性能亦可在各大高校及科研機構展示其科研屬性。 設備8英寸向下兼容，適用于Bosch刻蝕工藝類需求。針對Bosch工藝的特點優化了刻蝕設備控制系統，采用快速響應硬件及軟件配置，結合中心/邊緣雙路進氣設計，具有較大的工藝窗口、高深寬比、高選擇比以及良好的側壁形貌和垂直度控制。 專業機械設計與優化的操作軟件使該設備操作簡便、安全，且設備運行穩定，重復性和均勻性佳。該系統可以根據客戶要求靈活選擇氣體、射頻、ESC等各種配置，滿足個性化生產與研究需求。
ALE原子層離子刻蝕系統

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??原子層刻蝕(ALE)是一種基于自限性反應的、以幾個原子層為單位逐步去除材料的高精度加工技術，具有刻蝕損傷低、均勻性高和刻蝕界面平整等優勢。 原子層刻蝕(ALE) 是利用鹵化物前體對刻蝕材料先進行修飾改性，再通過離子轟擊去除改性層，整個刻蝕過程不影響未改性區域，可以實現極低的刻蝕速率，實現高精度的刻蝕工藝。 微蕓科技生產的原子層刻蝕系統是一款針對GaN器件應用的大規模量產型設備，其卓越性能亦可在各大高校及科研機構展示其科研屬性。
600自動傳輸平臺

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● 六邊形真空傳輸腔，最多支持4個工藝腔。 ● 滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統，符合SEMI標準。 ● 傳輸平臺系統漏率≤2mTorr/min。 ● VCE/TM腔體抽真空到10mTorr≤180s。 ● 兩個VCE單次VCE放片量≤25片
400自動傳輸平臺

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● 盒式對盒式集簇式真空傳輸系統，最多支持3個工藝腔。 ● 滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統，符合SEMI標準。通過閘板閥與傳輸腔室連接，晶圓在卡夾中放置狀態自動掃描。 ● 在線式晶圓與對準機構，高可靠性真空晶圓傳輸機械手。 ● 傳輸配置獨立的干泵，本底真空≤7.5mTorr。 ● 單個VCE單次VCE放片量≤25片
半自動傳輸平臺

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● 帶有信號反饋和可靠的碰撞保護功能。 ● 磁流體中間環節保證腔體內部真空壓力與潔凈。 ● 手動放取物料，邊緣定位。 ● 運動范圍：最大到達距離 310mm(距腔口外側)。 ● 重復精度：±0.2mm。 ● 真空度：＜5x10-9 Torr。

電話：400-883-6891

郵箱：sales@wintechsh.com

地址：上海市浦東新區王橋路689號1幢

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