2025年10月22日，第十五屆中國國際納米技術產業博覽會儀式中，西安電子科技大學教授、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）主任郝躍教授發布了第三代半導體裝備國產化研發聯盟成果，發布的三項關鍵成果將進一步打破國際壟斷，有力支撐新能源汽車，5G基站等關鍵領域國產替代，助力“雙碳”目標加快實現。

主要演講：助力上海微蕓科技有限公司在裝備聯盟的平臺上完成了首臺套ALE先進刻蝕設備與GaN低損傷刻蝕工藝技術的開發驗證，刻蝕控制精度達到2個原子層、損傷小于5個原子層，突破了現有刻蝕技術的瓶頸工藝驗證可以大幅度提升Micro-Led的發光效率，降低功率電子器件的漏電流。該裝備和工藝技術可以廣泛推廣到集成電路，提升芯片的性能和可靠性;對發展“原子級制造技術”具有重要戰略意義。